製品概要
西安交通大学の深い研究開発の蓄積を活かした同軸プローブは、高周波測定向けに設計され、精密加工によりプローブと同軸インターフェースの完全なマッチングを実現します。ウェーハレベルRF/マイクロ波テスト、光電子デバイスの特性評価、高速相互接続の信号整合性検証などに適しています。厳格な校正により優れた再現性と耐久性を備え、さまざまな仕様とカスタマイズサービスを提供しています。
本シリーズは高品質の誘電体材料と精密構造設計により、超広帯域にわたって安定した電気特性を維持し、研究機関や生産ラインに最適です。
主な特長
✔
超広帯域
DC～220 GHzをカバーし、超広帯域テストニーズに対応します。
✔
低挿入損失
高品質の誘電体材料により、挿入損失は5 dB未満です。
✔
高再現性
接触式設計により測定結果が安定し、再現性は0.05 dB以上です。
✔
耐久性に優れた設計
ステンレス製ハウジングと交換可能なプローブチップで長寿命です。
✔
修理期間が短い
迅速な修理対応、国内メンテナンスは1週間以内です。
✔
カスタマイズ
顧客のニーズに応じて周波数範囲とインターフェースをカスタマイズできます。
詳細情報
| 型番 | 周波数 | ピッチ | 標準挿入損失 | 標準反射損失 |
|---|---|---|---|---|
| DC-67-GSG-150 | DC-67 GHz | 150 µm | < 1.5 dB | < -20 dB |
| DC-110-GSG-150 | DC-110 GHz | 150 µm | < 2.5 dB | < -18 dB |
| DC-145-GSG-100 | DC-145 GHz | 100 µm | < 3.5 dB | < -10 dB |
表中の型番をクリックすると対応するSパラメータを表示します
詳細情報は以下からダウンロードしてください：