当社の同軸プローブは中国高等教育機関チームによる豊富な研究実績を背景に、高周波測定向けに特別に設計されています。精密加工技術により、プローブと同軸インターフェースの完全なマッチングを実現しています。ウェハレベルでのRFマイクロ波差動テスト、光電デバイスの特性評価、高速相互接続の信号完全性検証などの分野に適用します。プローブは厳格な校正を経ており、優れた再現性と耐久性を備えています。また、多種多様な仕様とカスタマイズサービスを提供し、さまざまな顧客のニーズに応えています。

該当シリーズのプローブは、高品質な誘電体材料と精密な構造設計を採用しており、超広帯域において安定した電気的特性を維持します。研究機関および産業分野にとって最適な選択肢です。

型番	周波数	ピッチ	代表挿入損失値	代表反射損失値
DC-67-GSG-150	DC-67 GHz	150 µm	< 1.5 dB	< -20 dB
DC-110-GSG-150	DC-110 GHz	150 µm	< 2.5 dB	< -18 dB
DC-145-GSG-100	DC-145 GHz	100 µm	< 3.5 dB	< -10 dB
DC-170-GSG-150	DC-170 GHz	150 µm	< 4.5 dB	< -10 dB

表中の型番をクリックすると対応するSパラメータを表示します

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