シリコンフォトニクスのウェハレベルテスト — チップ性能を高精度に評価

AIの急速な発展に伴い、データ計算センターの伝送速度は絶えず向上しており、従来の銅相互接続はもはや産業製品のニーズを満たすことができません。光電通信は伝送速度が高く、損失が低いという優位性を持ち、現在の業界発展における主流の選択となっています。

シリコンフォトニクスは、成熟したCMOSプロセスプラットフォームを活用し、シリコン基板上で光信号の生成・変調・伝送・検出を実現します。広帯域・低消費電力・高集積という本質的な優位性を備えています。400G、800G、さらには1.6T光モジュールの商用化が進むにつれ、シリコンフォトニクスチップはラボから量産へと移行しつつあり、ウェハレベルテストへの要求はかつてないほど高まっています。

課題とソリューション

業界の課題

  • ウェハレベルテストでは、プローブ性能の低さやテストシステムの校正誤差が大きく、製品性能および良率評価に決定的な影響を与えます。
  • 高周波では挿入損失が大きくなります。

当社の強み

  • シリコンフォトニクスチップ専用設計で、DC~220 GHzの信号テストに対応します。
  • 高精度MEMSプロセス設計と優れたRF性能により、ウェハレベルテストの一貫性を確保します。
  • 低挿入損失の設計です。

当社のシリコンフォトニクステストソリューションは、ウェハ段階での性能選別と製品開発サイクルの加速を支援します。

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