シリコンフォトニクスのウェハレベルテスト — チップ性能を高精度に評価
有線・無線通信のあらゆる段階で帯域幅の拡大が求められ、データセンターの高速化も進む中、業界は銅相互接続からシリコンフォトニクスへの転換を進めています。
シリコンフォトニクスは、成熟したCMOSプロセスプラットフォームを活用し、シリコン基板上で光信号の生成・変調・伝送・検出を実現します。広帯域・低消費電力・高集積という本質的な優位性を備えています。400G、800G、さらには1.6T光モジュールの商用化が進むにつれ、シリコンフォトニクスチップはラボから量産へと移行しつつあり、ウェハレベルテストへの要求はかつてないほど高まっています。
課題とソリューション
業界の課題
- シリコンフォトニクスチップは光・電気結合の高い精度が求められ、従来のプローブでは光電気テストを同時に行えません。
- ウェハレベルテストではプローブの接触再現性が低く、良率評価が不正確になります。
- 高周波では挿入損失が大きく、光変調器の性能検証に影響します。
当社の強み
- シリコンフォトニクスチップ専用設計で、DC～110 GHzの信号テストに対応。
- 高精度MEMSプロセスで0.05 dB以上の接触再現性を実現し、ウェハレベルテストの一貫性を確保。
- 超低挿入損失設計（1.5 dB未満）で、シグナルインテグリティを最大限に維持。
当社のシリコンフォトニクステストソリューションは、電気テストと光テストをシームレスに統合し、ウェハ段階での性能選別と製品開発サイクルの加速を支援します。
