硅光子芯片晶圆级测试——精准反馈硅光芯片性能
在有线或无线通信各阶段提升带宽的需求，加上数据中心速度的提升，正推动通信领域远离铜互连，转向硅光子学。
硅光子技术利用成熟的 CMOS 工艺平台，在硅基衬底上实现光信号的产生、调制、传输与探测，具有带宽大、功耗低、集成度高等天然优势。随着 400G、800G 乃至 1.6T 光模块逐步商用，硅光芯片正在从实验室走向大规模量产，对晶圆级测试提出了前所未有的要求。
挑战与解决方案
行业痛点
- 硅光芯片对光信号与电信号耦合要求高，传统探针无法同时满足光电测试。
- 晶圆级测试中，探针接触重复性差，导致良率评估不准确。
- 高频信号下插入损耗大，影响光调制器性能验证。
我们的优势
- 专为硅光芯片设计的探针，支持 DC 至 110 GHz 信号测试。
- 高精度 MEMS 工艺，接触重复性优于 0.05 dB，保证晶圆级测试一致性。
- 超低插损设计（< 1.5 dB），最大限度保留信号完整性。
金微光电的硅光子测试解决方案，将电学与光学测试无缝整合，帮助客户在晶圆阶段精准筛选性能，加速产品迭代。
